偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响

• 作者: 何玉娟 恩云飞 罗宏伟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠性 辐照 总剂量 光耦合器 偏置条件
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 511-513
• 分类号: TN306
• 字数: 1844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.007

摘要

通过对不同偏压条件对光耦合器总剂量辐照效应的影响进行研究,结果发现随着总剂量的增加,光耦合器电流转换率CTR会降低60％ ～ 80％,且输入低电流时光耦合器总剂量辐照损伤更严重,其原因可能是输入低电流时光耦合器内部发光二极管辐照过程中更容易产生非发光陷阱所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何玉娟		9	51	4.0	7.0
2	罗宏伟		12	65	5.0	7.0
3	恩云飞		12	57	5.0	7.0