硅悬臂梁的制造及压阻特性研究

• 作者: 于虹 杨磊 赵阳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 悬臂梁 压阻效应 杨氏模量 灵敏度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 固体电路
• 页码范围: 1015-1018
• 页数: 4页
• 分类号: TN16
• 字数: 1628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.006

摘要

简述了硅压阻悬臂梁的工艺流程,在力学参数的测试中,利用原子力显微镜,测得杨氏模量约为133GPa;在力电耦合特性的测试中,原子力显微镜探针对悬臂梁自由端步进下压,利用半导体参数测试仪,测得悬臂梁的位移灵敏度为1.95×10-7(A)-1,力灵敏度为4.22×10-6nN-1.另一方面,与Coventorware模拟结果相比,灵敏度实验值大约是模拟值的1.4倍,与理论值近似,说明当硅悬臂梁厚度进入纳米尺寸后,量子效应和表面效应明显,压阻效应增强.