共面型GaAs光导开关的击穿特性研究

• 作者: 刘娟 时世泰 李寅鑫 苏伟
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs半导体光导开关 击穿特性 ANSYS模拟 绝缘保护
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 23-25,29
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2009.02.008

摘要

用ANSYS软件对暴露在空气中共面型GaAs光导开关进行了模拟仿真,根据其电场分布在X方向和Y方向的剖面图可以看出:在GaAs表面、电极、空气隙3种介质的交界面是极易发生击穿的区域,特别在电极的拐角部位.对用空气和Si3N4介质包覆开关表面时的电流分布进行了模拟比较,给出了X方向剖面图,结果表明:经Si3Ni4薄膜保护的GaAs光导开关的耐压能力可提高2个数量级.对设计制作的3 mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究,分别采用绝缘油、绝缘胶对光导开关进行了绝缘保护,并结合介质击穿理论对试验结果进行了分析.模拟和试验结果表明:适当的绝缘保护可以有效提高耐压特性,使绝缘强度达4 kV/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏伟	中国工程物理研究院电子工程研究所	92	541	12.0	16.0
2	刘娟	中国工程物理研究院电子工程研究所	11	56	4.0	7.0
3	时世泰	中国工程物理研究院电子工程研究所	2	6	2.0	2.0
4	李寅鑫	中国工程物理研究院电子工程研究所	8	34	4.0	5.0