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美光推出DDR3低负载双列直插内存模块LRDIMM
美光推出DDR3低负载双列直插内存模块LRDIMM
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
内存模块
直插
双列
负载
芯片制造
成本效益
小尺寸
高密度
摘要:
美光科技股份有限公司宣布推出DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)。新的LRDIMM将采用美光先进的1.35v 2Gb 50nm的DDR3内存芯片制造。由于芯片的高密度和小尺寸,使美光能够轻松并具成本效益地增加服务器模块的容量。
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篇名
美光推出DDR3低负载双列直插内存模块LRDIMM
来源期刊
电子元器件应用
学科
工学
关键词
内存模块
直插
双列
负载
芯片制造
成本效益
小尺寸
高密度
年,卷(期)
2009,(10)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
I0001
页数
1页
分类号
TP333.1
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内存模块
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期刊影响力
电子元器件应用
主办单位:
中国电子元件行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1563-4795
CN:
开本:
大16开
出版地:
西安市科技路37号海星城市广场B座240
邮发代号:
创刊时间:
1999
语种:
chi
出版文献量(篇)
5842
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7
总被引数(次)
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