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摘要:
美光科技股份有限公司宣布推出DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)。新的LRDIMM将采用美光先进的1.35v 2Gb 50nm的DDR3内存芯片制造。由于芯片的高密度和小尺寸,使美光能够轻松并具成本效益地增加服务器模块的容量。
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文献信息
篇名 美光推出DDR3低负载双列直插内存模块LRDIMM
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 内存模块 直插 双列 负载 芯片制造 成本效益 小尺寸 高密度
年,卷(期) 2009,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 I0001
页数 1页 分类号 TP333.1
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研究主题发展历程
节点文献
内存模块
直插
双列
负载
芯片制造
成本效益
小尺寸
高密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
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