基于有限元方法的半导体器件电一热分析

• 来源期刊: 计算机仿真
• 学科: 工学
• 关键词: 横向扩散金属氧化物半导体器件 电磁脉冲 有限元方法 温度分布
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 仿真应用研究
• 页码范围: 330-333,338
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3925字
• 语种: 中文

摘要

随着微电子技术的迅猛发展,各种微电子设备获得了空前广泛的应用,电子系统对电磁干扰的敏感程度也随之增加.在电磁脉冲的影响下,电子系统中的晶体管会发生电、热击穿,因此,半导体器件的可靠性日益成为电磁兼容性领域的关键问题.为了研究半导体器件在常见电磁脉冲影响下的可靠性问题,本文采用了一种混合时域有限元方法,对半导体器件进行综合的电一热分析,通过计算机仿真数值求解半导体物理方程和热力学方程,获得在电磁脉冲下半导体器件内部的温度分布情况.从仿真结果可以看到,半导体器件在电磁脉冲作用下会产生严重的热效应,内部温度甚至能达到材料熔点.因而,在电子系统设计中必须采用相应的技术对半导体器件进行电磁防护.