c轴取向SiC衬底MgB_2超导厚膜的制备及性质

• 作者: 冯庆荣 孟胜 张从尧
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 混合物理化学气相沉积法 MgB_2超导厚膜 R～T曲线 M～T曲线 M～H曲线 SEM图
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB_2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10~5A/cm~2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯庆荣		28	65	5.0	6.0
2	孟胜		1	0	0.0	0.0
3	张从尧		2	0	0.0	0.0