多晶硅真空区熔提纯技术研究

• 作者: 张殿朝 栾国旗 闫萍 马玉通 高颖
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 提纯 提纯速率
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 16-19
• 分类号: TN304.051
• 字数: 3406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.08.004

摘要

对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
2	张殿朝	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	28	3.0	4.0
3	马玉通	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	31	4.0	5.0
4	栾国旗	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	8	2.0	2.0
5	高颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	4	1.0	1.0