一种基于编码的存储器加固设计

• 作者: 何春 李磊 李路路
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应 软错误 抗辐射加固 纠错编码 可靠性传输
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 42-44
• 分类号: TN919.3
• 字数: 1869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2010.11.017

摘要

在太空辐射环境中存在各种宇宙射线和一些高能粒子,其中单粒子翻转(SEU)效应是引起存储器软错误的重要因素,降低了数据传输的可靠性,因此成为当前集成电路抗辐射加固设计的研究重点之一.标准的纠错编码(ECC)设计冗余度将占用超过50%的存储量,该设计基于缩短汉明码的原理实现了对32位存储器采用7位冗余码进行纠错编码的SEC-DED加固设计,在资源上得到了优化;同时从概率的角度分析了可靠性的理论基础,通过编码可靠性可以提高3到6个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何春	电子科技大学电子科学技术研究院	24	124	7.0	10.0
2	李磊	电子科技大学电子科学技术研究院	39	150	6.0	10.0
3	李路路	电子科技大学电子科学技术研究院	2	8	2.0	2.0