漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究

• 作者: 刘宇安
• 来源期刊: 井冈山大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFEF 漏雪崩热载流子 1/f噪声
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 27-30,44
• 分类号: TN386
• 字数: 3681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2010.03.006

摘要

研究了DAHC(漏雪崩热载流子)应力下MOSFEF的1/f噪声特性.从各种热载流子与缺陷相互作用的角度,进一步研究了DAHC应力MOSFEF的1/f噪声产生机理,合理解释其作为器件最大损伤应力.基于噪声机理明确了DAHC应力下MOSFEF的1/f噪声模型中各系数的物理意义,给出一个较明晰的各种热载流子与缺陷相互作用产生噪声的物理图像.进行了MOSFEF的DAHC应力实验,得到了其电参数和噪声参数.实验结果和本文模型符合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇安	井冈山大学数理学院	11	12	2.0	3.0