砷化镓内电子谷间散射引起的增益

• 作者: 何波涌 倪争技 张大伟 朱亦鸣 王淑玲 陈麟
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 光谱学 砷化镓 电子谷间散射 增益 时域太赫兹波谱法 非平衡载流子
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 658-662
• 页数: 5页
• 分类号: O473
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103703.0658

摘要

运用时域太赫兹波谱法,低温(10 K)高电场下本征砷化镓中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹波被准确地测量出来.从样品中辐射出的和电子加速度/减速度成正比的太赫兹电磁波,表现出双极特性.通过分析砷化镓中辐射出的太赫兹波的傅里叶变换谱,在实验上得到阶跃电场下的砷化镓内因电子谷间散射而引起的增益极限频率,可以达到约750 GHz(10 K).同时通过测量极限频率和温度的关系,发现极限频率是电子经由纵光学声子从L谷到Γ谷的散射能量弛豫过程所需要的时间决定的.通过理论计算电子在Γ谷的弹道加速、电子谷间散射和电子经由纵光学声子连续散射在Γ谷的弛豫等过程的时间得出的增益极限频率与实验值吻合得较好.