芯片背面磨削减薄技术研究

• 作者: 杨生荣 王仲康
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 背面减薄 自旋转磨削 亚表面损伤层 总厚度误差 延性域 崩边
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.01.005

摘要

通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果:并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理.