硅片减薄技术研究

• 作者: 刘军 曹玉生 木瑞强
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片 背面减薄 研磨
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 3055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.03.003

摘要

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中.此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻.因此,硅片减薄的地位越来越重要.文章简要介绍了减薄的几种方法,并对两种不同研磨减薄技术的优缺点进行了对比.此外,从影响减薄质量的因素如主轴转速、研磨速度及所使用的保护膜等几方面进行了实验的验证,分析了不同参数对质量的影响效果.并根据减薄后的质量情况,使用统计方法,对减薄的过程进行了监控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹玉生		5	24	2.0	4.0
2	木瑞强		1	17	1.0	1.0
3	刘军		1	17	1.0	1.0