一种共源共栅自偏置带隙基准源设计

• 作者: 李亮 陈珍海
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 共源共栅 自偏置
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 24-27,31
• 页数: 5页
• 分类号: TN431
• 字数: 1728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.01.007

摘要

在分析带隙基准理论的基础上,针对SoC芯片的1.2V数字电路供电,设计一个低功耗低温度系数、高电源抑制比的带隙基准源.电路由一个与绝对温度成正比(PTAT)电流源和一个绝对温度相补(CTAT)电流源叠加构成,采用低压共源共栅自偏置结构来减少镜像失配和工艺误差对电路的影响.在SMIC 0.13 μm混合信号CMOS工艺下,电源电压为2.5V时,使用Cadence Spectre对电路进行模拟,结果表明可实现1.2V输出电压,电源抑制比在低频段为-86dB、高频段为-53dB,温度系数为12×10-6/℃,功耗为0.57mW.带隙电压基准源的版图面积为75μm × 86μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李亮	苏州市职业大学电子信息工程系	12	42	4.0	6.0