不同注入剂量和能量对氧化钛薄膜结构的影响

• 作者: 孙鸿 李贵才 杨苹 王锦标 陈江 黄楠
• 来源期刊: 西南交通大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化钛薄膜 离子注入 能带结构 氧缺陷 方块电阻
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 920-925
• 分类号: O484.4
• 字数: 3193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-2724.2010.06.017

摘要

为研究离子注入以及真空退火对氧化钛薄膜的结构和性能影响,利用非平衡磁控溅射技术,在单晶硅基体上沉积得到了金红石氧化钛薄膜,在此基础上注入磷离子,并进行真空退火处理.研究结果表明:注入剂量和能量的增加,使得氧化钛薄膜的晶体结构损伤程度加剧; 真空退火后,未注入与离子注入的薄膜Raman峰均出现红移和加宽现象,薄膜能带结构因氧缺位及低价钛而产生的变化,导致薄膜的方块电阻逐渐降低,电阻可降至100～200 Ω/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄楠	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室	160	1147	19.0	27.0
2	陈江	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室	5	19	2.0	4.0
3	李贵才	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室	7	37	4.0	6.0
4	孙鸿	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室	46	334	10.0	15.0
5	杨苹	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室	12	61	4.0	7.0
6	王锦标	西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室	2	6	2.0	2.0