宽禁带半导体材料技术

• 作者: 李宝珠
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带 半导体 材料 研究进展
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5-10,56
• 分类号: TN304.05
• 字数: 7196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.08.002

摘要

宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境.在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宝珠	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	62	3.0	7.0