条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析

• 作者: 杨广华 毛陆虹 王伟 郭维廉 黄春红
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 发光器件 标准CMOS工艺
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 369-372
• 分类号: O482.31|TN383.1
• 字数: 1448字
• 语种: 中文

摘要

采用0.35μm双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型Si LED发光器件.器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Si pn LED.观察了Si LED发光显微图形及实际器件的版图,并在对器件进行了正、反向I-V特性测试、光功率及光谱特性的测量.Si LED的正向偏置时开启电压为0.9 V,反向偏置时在15 V左右可观察到发光.器件在室温下反向偏置时,10 V,100 mA电流下所得输出光功率为12.6 nW,发光峰值在758 nm处.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	王伟	中国科学院半导体所	295	3192	30.0	44.0
3	杨广华	天津大学电子信息工程学院	25	94	6.0	8.0
5	郭维廉	天津大学电子信息工程学院	145	419	10.0	12.0
8	黄春红	天津工业大学信息与通信工程学院	3	7	1.0	2.0