立方相SiC MEMS器件研究进展

• 作者: 刘兴防 吴海雷 孙国胜 宁瑾 曾一平 杨挺 王雷 罗木昌 赵万顺 赵永梅 闫果果
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 立方相碳化硅 MEMS器件 基本结构 加工工艺 测试结果 可靠性
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 415-424
• 分类号: TH703|TN304.24
• 字数: 7078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.006

摘要

主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC) MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视.随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化.