基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模

• 作者: 何晓莹 孙伟锋 徐申 高海翔
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOS管 CdV/dt现象 建模 寄生参数
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TM46|TM13
• 字数: 3369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2010.01.004

摘要

为了改善功率MOS管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率MOS管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态方程的建模方法,提取关键电压与电流参数作为状态变量,建立并有效验证了一种功率MOS管的数学分析模型.通过对此模型的仿真,发现CdV/dt现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生效应.同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析.最后,根据仿真分析结果,给出了电路的优化设计方法.实际电路的测试结果证明,该功率MOS管模型与驱动电路的优化方法在CdV/dt现象分析与改善上具有明显作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学电子科学与工程学院	105	634	13.0	19.0
2	徐申	东南大学电子科学与工程学院	21	156	8.0	12.0
3	高海翔	东南大学电子科学与工程学院	3	32	2.0	3.0
4	何晓莹	东南大学电子科学与工程学院	4	25	2.0	4.0