磨削工艺对Ge单晶抛光片的影响

• 作者: 刘春香 吕菲 窦连水 赵权
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 磨削 粗糙度 化学机械抛光(CMP) 抛光速率 时间雾
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 22-25
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.05.007

摘要

因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异,并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成.粗糙度大的磨削片,初始抛光速率快,但抛光片达到镜面所需时间却延长.在抛光后的去蜡工序中,粗糙度大的Ge片其表面更容易粘附蜡液而导致表面质量下降.检验合格的抛光片在存储过程中表面出现时间依赖性雾,分析了时间依赖性雾的形成原因是由于粗糙的背表面更容易存储水份和有机溶剂.要提高抛光片的质量必须控制磨削片的粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0
4	窦连水	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	2	1.0	1.0