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摘要:
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用.根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6 μm高的铟凸点阵列.在150~300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验.在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa.
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文献信息
篇名 一种用于MEMS器件的Au-In倒装焊技术
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 铟凸点 Au-In 键合 倒装焊
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 258-261
页数 分类号 TN405
字数 3019字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.03.002
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研究主题发展历程
节点文献
铟凸点
Au-In 键合
倒装焊
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
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