热退火对氮化镓金属-半导体-金属结构紫外光电探测器性能的影响

• 作者: 周脉鱼 张勇 范秀英 谷峰 赵曼 赵梅 鲍金河
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 光电探测器 氮化镓 退火 肖特基 暗电流
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 测量技术
• 页码范围: 822-825
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103703.0822

摘要

采用金属有机气相外延的方法制备高质量氮化镓薄膜.采用真空热蒸发的方法蒸镀一层金膜,通过传统紫外曝光及湿法腐蚀的方法,制备得到具有金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外光电探测器.通过对器件进行不同温度不同时间的热退火处理,使器件的性能得到了改善.在3V偏压下,器件的暗电流仅为200pA,响应度的峰值出现在362nm处,其对应的探测率为1.2×10(11)cm·Hz(1/2)/W.对器件性能影响的形成机理进行了深人分析,主要归因于热处理将Au原子引人到薄膜中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵曼		1	0	0.0	0.0
2	赵梅		2	0	0.0	0.0
3	范秀英		1	0	0.0	0.0
4	周脉鱼		1	0	0.0	0.0
5	谷峰		1	0	0.0	0.0
6	张勇		1	0	0.0	0.0
7	鲍金河		1	0	0.0	0.0