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摘要:
采用传统电子陶瓷工艺合成了Ca-B-Si (CBS)玻璃掺杂的Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷,研究了CBS掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响.结果表明:CBS掺杂可促进陶瓷烧结并提高B位1:2有序度,进而降低微波介质损耗.当w(CBS) = 3%时,陶瓷烧结温度由纯相时的1 500 ℃以上降至1 250 ℃,表观密度提高到6.32 g/cm~3以上,陶瓷的微波介电性能达到最佳值:ε_r = 26,Q·f = 67 800 GHz(8 GHz),τ_f = 25×10~(-6)/ ℃.该陶瓷有望成为用于高频段微波器件的材料.
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文献信息
篇名 Ca-B-Si掺杂对Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 微波介质陶瓷 Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3 Ca-B-Si掺杂 微波介质损耗
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 22-24
页数 3页 分类号 TM282
字数 2960字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张树人 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 187 1176 16.0 24.0
2 吴孟强 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 56 505 13.0 21.0
3 王冬梅 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 8 2.0 2.0
4 毛宏 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 5 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
微波介质陶瓷
Ba(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3
Ca-B-Si掺杂
微波介质损耗
研究起点
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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