GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺

• 作者: 乔建良 富容国 常本康 杜晓晴 钱芸生 高频
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 负电子亲和势(NEA)光电阴极 GaN光电阴极 激活工艺 紫外探测 Cs/O吸附
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 385-388
• 页数: 4页
• 分类号: TN214|O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103702.0385

摘要

以金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延的P型GaN为阴极发射层材料,通过对激活过程中阴极光电流的在线监测,考察了Cs激活,Cs/O交替激活以及高低温两步激活对GaN阴极光电发射性能的影响.实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20%的GaN光电阴极,Cs激活后再进行2～3个Cs/O循环激活可小幅度提高量子效率,高低温两步激活不能进一步提高量子效率.利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释.