功率器件的新结构及其性能特点

• 作者: 关艳霞 王丹
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: SJMOSFET FS-IGBT 超结 场截止 缓冲层
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 118-120
• 分类号: TN32
• 字数: 3032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6236.2010.02.044

摘要

介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOSFET具有高开关频率.导通电阻小,损耗低等优点.而FS-IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关艳霞	沈阳工业大学信息科学与工程学院	35	79	5.0	7.0
2	王丹	沈阳工业大学信息科学与工程学院	13	28	4.0	5.0