金属诱导a-Si横向结晶速率与外电场的关系

• 作者: 刘颖 姚素英 王光伟 王雅欣
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 电场增强横向诱导结晶 扩散 电迁移 晶粒长大
• 年，卷（期）: 2010,（15）
• 页码范围: 18-21
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3811字
• 语种: 中文

摘要

分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶速率的影响,指出,在热处理条件下,Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率;适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率;Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率.但场强超过某临界值后该速率降低.基于电迁移效应,对此结果作了较合理的解释.结合文献,提出一经验公式,并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚素英	天津大学电信学院	160	911	14.0	21.0
2	王光伟	天津大学电信学院	18	78	5.0	8.0
4	刘颖	天津工程师范大学电子工程学院	11	35	4.0	5.0
7	王雅欣	天津工程师范大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0