高K栅介质材料的研究现状与前景

• 作者: 余涛 吴雪梅 葛水兵 诸葛兰剑
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 高K栅介质 HfO2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件
• 年，卷（期）: 2010,（21）
• 页码范围: 25-29
• 分类号: TB3
• 字数: 6541字
• 语种: 中文

摘要

论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料.研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较Hfo2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题.针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
7	诸葛兰剑	苏州大学分析测试中心	59	199	8.0	11.0
11	葛水兵	苏州大学物理系	14	103	6.0	10.0
18	余涛	苏州大学物理系	3	24	2.0	3.0