等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜

• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 化学气相沉积 GaN 反应 生长机制
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 加工工艺与应用
• 页码范围: 86-88,94
• 分类号: TG1
• 字数: 3244字
• 语种: 中文

摘要

采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜.对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N_2-(CH_3)_3Ga等离子体的发射光谱.结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N_2-(CH_3)_3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制.