快重离子辐照对非晶态SiO2薄膜光致发光谱的影响

• 作者: 刘纯宝 王志光
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光谱 重离子辐照 缺陷
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 608-611
• 分类号: O482.31|O571.33
• 字数: 2654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113206.0608

摘要

用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe离子对薄膜进行辐照,最后用荧光光谱分析了辐照参数(剂量、电子能损值)与发光特性改变的相关性.研究发现,快重离子辐照能显著影响薄膜的发光特性,进一步分析显示,辐照导致了SiO2薄膜内O-Si-O缺陷、缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的产生,且缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的数量会随Pb离子辐照剂量的增加而增多,而O-Si-O缺陷和缺氧缺陷的形成需要较高的电子能损值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志光	中国科学院近代物理研究所	39	183	8.0	11.0
2	刘纯宝	菏泽学院物理系	3	4	1.0	2.0