磁控溅射制备的W,WSi2,Si单层膜和W/Si,WSi2/Si多层膜应力

• 作者: 唐永建 朱京涛 李浩川 王占山 王晓强 蒋励 黄秋实
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 应力 形变 多层膜 磁控溅射 X射线
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1659-1662
• 分类号: O434.1
• 字数: 3105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112306.1659

摘要

采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100 nm的W,WSi2,Si单层膜和周期约为20 nm,Si膜层厚度与周期的比值为0.5的W/Si,WSi2/Si周期多层膜.利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试,计算并比较了不同膜系的应力值.结果表明:W单层膜表现出较大的压应力,而W/Si周期膜则表现为张应力.WSi2单层膜和WSi2/Si周期多层膜均表现为压应力,没有应力突变,应力特性最为稳定.因此,WSi2/Si材料组合是研制大膜对数X射线多层膜较好的材料组合.