桥式射频MEMS开关上电极薄膜的残余应力改进模型

• 作者: 尤政 李滨 陈俊收
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS开关 两端固支梁 薄膜 残余应力
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 16-20
• 分类号: TN62
• 字数: 4222字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2011.01.004

摘要

桥式射频(RF)微机电系统(MEMS)开关的上电极薄膜残余应力影响开关的响应时间、下拉电压等性能参数,降低了开关的可靠性.在分析传统拉伸线模型的基础上,提出了一种改进的残余应力静力学模型,将残余应力扩展到压应力的情况,并可应用于非对称均布载荷.选取了一组典型的开关参数,计算了双轴残余应力对两端固支MEMS薄膜均布载荷下拉挠度的影响.结果表明,在选取的参数条件下,拉应力增大到1 MPa时,薄膜的最大挠度减少7.95%,压应力增大到-1 MPa时,薄膜的最大挠度增加9.47%,与传统模型的计算结果相比,改进模型消除了非线性叠加产生的约0.3%的误差.采用迭代方法计算下拉电压,对两组实验测试数据与模型计算结果进行了验证,模型计算结果与实验数据基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尤政	清华大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	175	1605	21.0	32.0
5	李滨	清华大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	11	50	5.0	6.0
9	陈俊收	清华大学精密测试技术及仪器国家重点实验室	1	5	1.0	1.0