BST薄膜的残余应力分析

• 作者: 冷文建 姬洪 尹开锯 廖家轩 张继华 杨传仁 符春林 陈宏伟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 晶化 残余应力
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 59-61
• 页数: 3页
• 分类号: TM384
• 字数: 1800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.11.020

摘要

采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征.研究其残余应力随晶化温度变化的趋势.结果表明:在550,650,700℃晶化后的BST薄膜宏观残余应力表现为压应力,且随着晶化温度的升高,呈线性变大.