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Analytical-Numerical Model for the Transconductance of Microwave AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Analytical-Numerical Model for the Transconductance of Microwave AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
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摘要：
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Thermodynamic properties of San Carlos olivine at high temperature and high pressure
San Carlos olivine
Thermodynamic property
Thermal expansion
Heat capacity
Temperature gradient
An experimental study of interaction between pure water and alkaline feldspar at high temperatures a
Alkaline feldspar
Autoclave
High-temperature and high-pressure experiments
Lyocell与Model织物风格比较
再生纤维素纤维
Lyocell织物
Model织物
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文献信息
| 篇名 | Analytical-Numerical Model for the Transconductance of Microwave AIGaN/GaN High Electron Mobility Transistors | ||
| 来源期刊 | 材料科学与工程：中英文B版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管 数值模型 GaN 跨导 微波 电子陷阱 栅极电压 泊松方程 | ||
| 年，卷（期） | clkxygczy-b_2011,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 121-129 | |
| 页数 | 9页 | 分类号 | TN32 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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高电子迁移率晶体管
数值模型
GaN
跨导
微波
电子陷阱
栅极电压
泊松方程
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研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程：中英文B版
主办单位：
美国大卫出版公司
出版周期：
双月刊
ISSN：
2161-6221
CN：
开本：
出版地：
武汉洪山区卓刀泉北路金桥花园C座4楼
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
570
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