多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征

• 作者: 伊厚会 李卫兵 李清山 王彩凤 胡波
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 光致发光 ZnS 多孔硅
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 53-55,68
• 分类号: O484.41
• 字数: 2391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2011.04.014

摘要

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅（porous silicon，PS）衬底上用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition，PLD）在250℃和350℃下生长ZnS薄膜。XRD图样显示，制备的ZnS薄膜沿β—ZnS（111）方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰强度较大。SEM结果表明，250℃生长的ZnS溥膜表面疏松、不平整，这是由于衬底PS的粗糙结构所致，而350℃生长温度下，尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒，但总体变得平整致密。室温下的此致发光（PL）谱表明，350℃样品中ZnS的自激活发光强度高于250℃样品，而PS的红光强度低于250℃样品且峰位红移。把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合体系早现较强的白光发射。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李清山		40	97	5.0	7.0
2	伊厚会	滨州学院物理与电子科学系	20	32	3.0	4.0