不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究

• 作者: 严剑飞 付嵩琦 吴志明 太惠玲 李娴
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 沟道宽长比 有机薄膜晶体管 迁移率 阈值电压
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 52-55,108
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文

摘要

以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件.通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响.结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈值电压随着宽长比的增大而减小,漏电流随沟道宽长比的增大而增大;当源漏极间电压在一定范围内时,开态电流也随沟道宽长比的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	太惠玲	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	21	203	7.0	14.0
3	严剑飞	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	42	3.0	3.0
4	李娴	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	23	3.0	3.0
5	付嵩琦	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	7	1.0	1.0