基于自适应高阶补偿CMOS带隙基准源的设计

• 作者: 吴金 姜盛瑜 王宇星
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS带隙基准源 低压 曲率补偿 温度系数
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TN402
• 字数: 1225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.07.004

摘要

文章利用线性分段补偿的基本原理,依据输出支路内部的温度负反馈结构,引入了一种结构新颖简单、适应不同开口方向的电压基准高阶补偿方法.基于该补偿方法,设计了一款高精度的电压基准电路,根据温度补偿原理合理确定各器件参数,包括电压电流大小、电阻等参数；在这基础上用Cadence Sepctre进行仿真（本设计采用CSMC 0.35 μ m、3.3V CMOS工艺）.仿真结果表明,经高阶补偿的电压模基准,在-40°C～125°C温区范围内温度系数仅为0.98×10-6/°C,低频下PSRR为-60.82dB.通过仿真验证该电路能降低并实现较为稳定的温度系数.整个带隙基准电压源具有良好的综合性能,能应用于DRAM存储器、Flash存储器、模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)等集成电路中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇星		14	20	2.0	4.0
2	姜盛瑜		2	3	1.0	1.0