基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用传统的陶瓷工艺,低温烧结制备了Bi2O3-H3BO3-SiO2-ZnO(BBSZ)玻璃掺杂的NiCuZn铁氧体材料,研究了BBSZ掺杂量对铁氧体材料烧结密度、微观形貌和电磁性能的影响.研究表明,适量的BBSZ掺杂可以显著改善铁氧体的烧结性能和微观结构,进而对其电磁性能产生明显的影响.当BBSZ掺杂量为质量分数0.75%时,获得的铁氧体样品均匀致密且具有最佳的综合电磁性能,其烧结密度p,起始磁导率μi、品质因数Q以及饱和磁感应强度Bs分别为5.19 g/cm3,164,122和403 mT,均达到最大值,而其矫顽力Hc则达到最小值217A/m.
推荐文章
CaO掺杂对NiCuZn系铁氧体性能的影响
NiCuZn铁氧体
掺杂
低温共烧
电磁特性
MoO3掺杂对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响
NiCuZn铁氧体
起始磁导率
居里温度
MoO3掺杂
Bi2O3-Nb2O5复合掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响
无机非金属材料
NiCuZn铁氧体
Bi2O3-Nb2O5复合掺杂
品质因数
微观结构
复合掺杂对NiCuZn铁氧体磁性能的影响
无机非金属材料
NiCuZn铁氧体
复合掺杂
初始磁导率
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 BBSZ玻璃掺杂对NiCuZn铁氧体性能的影响
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 NiCuZn铁氧体 BBSZ掺杂 起始磁导率 电磁性能
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 54-56,61
页数 分类号 TM277
字数 2345字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.02.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张怀武 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 294 2211 20.0 32.0
2 荆玉兰 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 26 167 9.0 11.0
3 苏桦 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 46 413 13.0 18.0
4 师凯旋 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 28 2.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (4)
共引文献  (3)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (11)
同被引文献  (23)
二级引证文献  (25)
1999(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2000(3)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(1)
2002(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2004(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2008(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2011(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2012(2)
  • 引证文献(2)
  • 二级引证文献(0)
2013(3)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(2)
2014(8)
  • 引证文献(5)
  • 二级引证文献(3)
2015(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2016(5)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(4)
2017(6)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(6)
2019(3)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(3)
2020(4)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(3)
研究主题发展历程
节点文献
NiCuZn铁氧体
BBSZ掺杂
起始磁导率
电磁性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
论文1v1指导