超薄硅双面抛光片抛光工艺技术

• 作者: 刘春香 吕菲 杨洪星 武永超 王云彪 赵权
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄 硅双面抛光片 抛光工艺
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 光伏制造与设备
• 页码范围: 21-23,42
• 分类号: TN3OS.2
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2011.03.006

摘要

MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求.介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法.通过对硅片抛光机理[1],抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕菲	中国电子科技集团公司第四十六研究所	24	88	6.0	8.0
2	赵权	中国电子科技集团公司第四十六研究所	30	136	6.0	9.0
3	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
4	武永超	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	28	4.0	5.0
5	刘春香	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	79	5.0	7.0
6	王云彪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	49	4.0	5.0