Ge组分对Si1-xGexHBT反向击穿特性影响的研究

• 作者: 何学宇 刘兴辉 刘爽 林洪春 王立伟
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 异质结双极晶体管 ISE_TCAD 反向击穿特性
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 1-4
• 分类号: TN32
• 字数: 2957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2011.01.001

摘要

构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ce组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘兴辉	辽宁大学物理学院	36	128	6.0	10.0
2	刘爽	辽宁大学物理学院	20	66	5.0	7.0
3	王立伟	辽宁大学物理学院	1	0	0.0	0.0
4	林洪春	辽宁大学物理学院	1	0	0.0	0.0
5	何学宇	辽宁大学物理学院	1	0	0.0	0.0