研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

• 作者: 傅军 孙书娟 孙秋 张铁民 符运良 缪国庆
• 来源期刊: 海南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: In0.82Ga0.18As 金属有机化学气相淀积 临界厚度
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 基础理论与应用研究
• 页码范围: 44-46,55
• 分类号: O471.1
• 字数: 2486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4942.2011.01.013

摘要

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符运良	海南师范大学物理与电子工程学院	55	136	5.0	9.0
2	傅军	海南师范大学物理与电子工程学院	44	137	6.0	10.0
3	缪国庆	中国科学院激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
4	张铁民	海南师范大学物理与电子工程学院	29	73	4.0	7.0
5	孙书娟	海南师范大学物理与电子工程学院	12	13	2.0	3.0