硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

• 作者: 刘志东 汪炜 田宗军 邱明波 黄因慧
• 来源期刊: 应用基础与工程科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅半导体 放电加工 肖特基势垒 伏安曲线 击穿电压
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 页码范围: 664-671
• 分类号: TG662|TN301.1
• 字数: 3752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0930.2011.04.016

摘要

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田宗军	南京航空航天大学机电学院	220	2027	21.0	32.0
2	黄因慧	南京航空航天大学江苏省精密与微细制造技术重点实验室	219	2593	26.0	36.0
3	汪炜	南京航空航天大学机电学院	96	639	12.0	20.0
4	刘志东	南京航空航天大学江苏省精密与微细制造技术重点实验室	229	1912	22.0	29.0
8	邱明波	南京航空航天大学江苏省精密与微细制造技术重点实验室	78	554	13.0	20.0