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摘要:
使用TSMC0.18μm RF CMOS工艺,设计一个低电压折叠式共源共栅结构低噪声放大器(LNA).利用性能系数FoM(Figure of Merit)衡量其整体性能,并通过仿真找到使FoM最大的偏置电压.使用Cadence SpectreRF仿真表明,在0.9V电源下,2.4GHz处的反射系数良好.噪声系数NF仅为0.82dB,正向增益S21为18.84dB,三阶互调点IIP3为-10.3dBm,功耗仅为5.12mW,表该文方法可以为窄带LNA设计提供指导.
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文献信息
篇名 0.9V2.4GHz CMOS低噪声放大器设计
来源期刊 电子质量 学科 工学
关键词 低噪声放大器 低电压 折叠式共源共栅 性能系数 噪声 增益
年,卷(期) 2011,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-39,46
页数 分类号 TN722.3
字数 2845字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-0107.2011.01.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨虹 重庆邮电大学光电工程学院 106 285 8.0 10.0
2 余运涛 重庆邮电大学光电工程学院 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
低电压
折叠式共源共栅
性能系数
噪声
增益
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
广州市五羊新城广兴花园32号一层
46-39
1980
chi
出版文献量(篇)
7058
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32
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15176
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