Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET~功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 低导通电阻 P沟道 便携式多媒体播放器 创业 MP3播放器 智能手机 数码相机
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 75
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，发布占位面积为1．6×1．6mm、高度小于0．8mm的新款8VP沟道TrenchFET 功率MOSFET SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一肖旨在1．2V下导通的此类器件。新款SiB437EDKT可用做智能手机、MP3播放器、便携式多媒体播放器、数码相机、电子书和平板电脑等手持设备中的负载开关。