快速光热退火法制备多晶硅机理研究

• 作者: 魏晋军
• 来源期刊: 甘肃科技纵横
• 学科: 工学
• 关键词: 光热退火 多晶硅薄膜 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 工业科技
• 页码范围: 36,78
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6375.2011.02.015

摘要

本论述研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术,先利用PECVD法设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构;对不同退火温度下的系列样品测定了RXD谱图.研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波的频率和光照强度是起着主导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏晋军	西北师范大学知行学院	19	66	4.0	8.0