用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究

• 作者: 冯团辉 卢景霄 张宇翔 李瑞 杨仕娥 王海燕 郜小勇 郭敏 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 快速光热退火 固相晶化
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 340-343
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031

摘要

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院	52	301	10.0	14.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院	67	484	11.0	19.0
3	王海燕	郑州大学物理工程学院	62	372	11.0	16.0
4	杨仕娥	郑州大学物理工程学院	68	513	12.0	18.0
5	郭敏	郑州大学物理工程学院	58	282	10.0	14.0
6	卢景霄	郑州大学物理工程学院	100	570	12.0	17.0
7	张宇翔	郑州大学物理工程学院	45	274	10.0	14.0
8	李瑞	郑州大学物理工程学院	35	173	8.0	11.0
9	冯团辉	郑州大学物理工程学院	10	86	6.0	9.0