本征热激发载流子浓度与漏电流

• 作者: 关艳霞 揣荣岩 潘福泉
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 本征热激发载流子浓度 漏电流 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 106-108
• 分类号: TN32
• 字数: 2762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2011.02.037

摘要

叙述了本征热激发载流子浓度对功率半导体器件的重大影响,希望得到一个理论符合实际的定量计算公式.比较国内外权威的本征热激发载流子浓度公式,经过计算并与晶闸管、整流管漏电流的实测数据相比较.初步认定S K Ghandhi给出的本征热激发载流子浓度公式可以作为适用于功率半导体器件的简明公式,并进行了适当的理论说明及公式意义的阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关艳霞	沈阳工业大学信息科学与工程学院	35	79	5.0	7.0
2	揣荣岩	沈阳工业大学信息科学与工程学院	31	90	5.0	8.0
3	潘福泉	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	7	2.0	2.0