功率VDMOS用硅外延材料的制备

• 作者: 薛兵
• 来源期刊: 甘肃科技
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 VDMOS 自掺杂 过渡区 二步外延
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 技术创新
• 页码范围: 9-10,75
• 分类号: TN915.05
• 字数: 2219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0952.2011.06.005

摘要

介绍了一种实用的VDMOS器件用硅外延片生长技术,该技术使用PE-2061S外延设备,通过特有的工艺技术,在直径0.12m重掺锑(Sb)衬底上,完成了高阻厚层N型外延片的生长.外延层厚度大于74μm,电阻率大于27Ω·cm,其厚度、电阻率及结晶质量等参数都得到了很好的控制,其中部分技术参数达到了国际先进水平.结果表明,该外延材料完全满足VDMOS器件的制作需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛兵	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	24	3.0	4.0