强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究

• 作者: 朱湘琴 王建国 蔡利兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 次级电子倍增 强直流场 介质表面击穿 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 页码范围: 417-424
• 分类号: O441.4
• 语种: 中文

摘要

通过粒子模拟方法,实现了强直流场下介质表面击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟.具体研究了强直流场场强、介质表面光滑度和次级电子产生率等对次级电子倍增的影响,以及倾斜直流场和外加磁场对次级电子倍增的抑制.结果表明,选择次级电子产生率较低的介质材料和倾斜强直流场可以有效降低次级电子倍增效应的强度,而外加磁场必须超过一定值时才可以有效降低次级电子倍增强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡利兵		15	91	6.0	8.0
2	朱湘琴		21	67	5.0	6.0