混合场介质表面单边次级电子倍增效应统计

• 作者: 余道杰 候德亭 周东方 张长峰 王利萍 韩晨
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率微波 线极化微波场 强直流场 介质单边次级电子倍增 统计方法
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 179-184
• 页数: 6页
• 分类号: TN011.2
• 字数: 4000字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.083006

摘要

综合考虑发射电子的发射能量、发射角度及微波场的相位分布等因素,运用统计方法,研究了介质表面单边次级电子倍增过程中次级电子数目、瞬时直流场、渡越时间、微波场的沉积功率等次级电子倍增特征物理量随碰撞次数的变化过程,仿真分析了不同夹角、不同反射系数对次级电子倍增的影响.研究结果表明:当倾斜直流场一定时,微波场的反射系数越小,雪崩击穿的延迟时间越长,饱和状态下的次级电子数目越大;微波场一定时,当直流电场平行于介质板表面时,直流电场幅值越大,雪崩击穿的延迟时间越长,饱和状态下的次级电子数目越大,但当电场强度超过一定值时,次级电子倍增现象不再发生,当直流场垂直介质板表面,直流电场幅值越大,雪崩击穿的延迟时间越长,饱和状态下的次级电子数目越小,幅值超过一定值时,次级电子倍增现象同样不会发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长峰	解放军信息工程大学信息系统工程学院	3	11	2.0	3.0
2	周东方	解放军信息工程大学信息系统工程学院	88	1042	15.0	30.0
3	余道杰	解放军信息工程大学信息系统工程学院	26	144	7.0	11.0
4	王利萍	解放军信息工程大学信息系统工程学院	7	48	5.0	6.0
5	韩晨	解放军信息工程大学信息系统工程学院	3	25	2.0	3.0
6	候德亭	解放军信息工程大学理学院	2	4	1.0	2.0