12dB微波薄膜衰减器的设计与制备

• 作者: 张万里 彭斌 李凌 王磊 蒋洪川
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 微波薄膜衰减器 TaN薄膜 T型衰减网络
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 64-66
• 分类号: TN61
• 字数: 1442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.03.016

摘要

基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC～3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器.仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC～3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1.测试结果表明,所制备的微波薄膜衰减器在DC～3GHz工作频率内,衰减量为(12.0±0.5) dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
4	王磊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	51	356	8.0	16.0
5	李凌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	68	5.0	8.0