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摘要:
基于T型衰减网络结构设计并仿真了工作频率为DC~3GHz的微波薄膜衰减器,并采用磁控溅射法在BeO基片上制备了TaN微波薄膜衰减器.仿真结果表明,所设计的微波薄膜衰减器在DC~3GHz工作频率内,衰减量为12 dB,输入端口电压驻波比小于1.1.测试结果表明,所制备的微波薄膜衰减器在DC~3GHz工作频率内,衰减量为(12.0±0.5) dB.
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文献信息
篇名 12dB微波薄膜衰减器的设计与制备
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 微波薄膜衰减器 TaN薄膜 T型衰减网络
年,卷(期) 2012,(3) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 64-66
页数 分类号 TN61
字数 1442字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.03.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋洪川 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 74 586 12.0 19.0
2 张万里 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 142 705 13.0 17.0
3 彭斌 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 87 638 12.0 21.0
4 王磊 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 51 356 8.0 16.0
5 李凌 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 14 68 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
微波薄膜衰减器
TaN薄膜
T型衰减网络
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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