一种宽FBSOA的薄膜SOI LDMOS

• 作者: 李婧 董骁
• 来源期刊: 河南机电高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: 栅极场板 电场尖峰 电离碰撞 跳变
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 机电工程理论与应用
• 页码范围: 7-10
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-2093.2012.04.003

摘要

提出了一种宽FBSOA（Forward Biased Safe Operating Area）的600V以上级薄膜SOI LDMOS结构。其机理是通过增加栅极场板,在场板末端的器件漂移区内引入一个电场尖峰,该尖峰电场会加剧漂移区内载流子的电离碰撞,导致电流随着器件在源漏电压增加到某一数值时出现陡增的跳变,大大提高器件在高压下的电流输出能力,显著改善器件的FBSOA特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董骁	河南机电高等专科学校电子通信工程系	6	1	1.0	1.0
2	李婧	河南机电高等专科学校电子通信工程系	11	8	2.0	2.0